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任孟麗(女士)
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任孟麗 (女士)
uv光解凈化設備認準圣亞達環(huán)保
半導體光催化劑 大多是n型半導體材料(當前以為tio2使用最廣泛)都具有區(qū)別于金屬或絕緣物質的特別的能帶結構,即在一個價帶和導帶之間存在一個禁帶。
由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式k=1240/eg(ev)的關系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區(qū)域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑 表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數的有機物氧化至最終產物co2和h2o,甚至對一些無機物也能徹底分解。
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